MOSFET-seadme valikul võetakse arvesse tegurite kõiki aspekte, alates väikestest kuni N-tüüpi või P-tüüpi valimiseni, paketi tüüp, suur kuni MOSFET-pinge, sisselülitatud takistus jne, erinevad rakendusnõuded on erinevad.Järgmises artiklis võetakse kokku MOSFET-seadmete valik kolmest peamisest reeglist. Usun, et pärast lugemist on teil palju.
1. Toite MOSFETi valiku esimene samm: P-toru või N-toru?
Toite-MOSFETe on kahte tüüpi: N-kanaliga ja P-kanaliga, süsteemi projekteerimisel N-toru või P-toru valimiseks tegeliku konkreetse rakenduse jaoks, N-kanaliga MOSFET-id mudeli valimiseks, odav;P-kanaliga MOSFET-id, et valida mudel vähem, kõrge hind.
Kui toite-MOSFET-i S-pooluse ühenduse pinge ei ole süsteemi võrdlusmaandus, on N-kanali jaoks vaja ujuva maandusega toiteallika ajamit, trafo ajamit või alglaadimisajamit, ajamiahelate kompleksi;P-kanalit saab otse juhtida, sõitmine on lihtne.
Peamiselt tuleb arvesse võtta N-kanali ja P-kanali rakendusi
a.Sülearvutid, lauaarvutid ja serverid, mida kasutatakse protsessori ja süsteemi jahutusventilaatori, printeri toitesüsteemi mootoriajami, tolmuimejate, õhupuhastite, elektriventilaatorite ja muude kodumasinate mootori juhtimisahela andmiseks, need süsteemid kasutavad täissilda ahela struktuuri, iga sillaharu toru peal saab kasutada P-toru, võib kasutada ka N-toru.
b.Sidesüsteem 48 V sisendsüsteem kuumalt ühendatavatest MOSFETidest, mis on paigutatud kõrgeima otsa, võite kasutada P-torusid, võite kasutada ka N-torusid.
c.Sülearvuti sisendvooluahel seerias, etendab vastupidise ühenduse ja koormuse ümberlülitamise rolli kahes vastassuunas võimsusega MOSFET-i, N-kanali kasutamine on vaja juhtida kiibi sisemist integreeritud ajami laadimispumpa, kasutada P-kanalit saab otse juhtida.
2. Pakendi tüübi valik
Võimsus MOSFET kanali tüüp, et teha kindlaks teine samm, et määrata pakett, paketi valiku põhimõtted.
a.Temperatuuritõus ja termiline disain on kõige põhilisemad nõuded paketi valimisel
Erinevatel pakendisuurustel on erinev soojustakistus ja võimsuse hajumine, lisaks tuleb arvestada süsteemi soojustingimuste ja ümbritseva õhu temperatuuriga, nagu näiteks õhkjahutuse olemasolu, jahutusradiaatori kuju ja suuruse piirangud, kas keskkond on suletud ja muud tegurid, Põhimõte on tagada võimsuse MOSFET temperatuuri tõus ja süsteemi efektiivsus, parameetrite valimise eeldus ja üldisema võimsusega MOSFET.
Mõnikord on muude tingimuste tõttu valitud vajadus soojuse hajumise probleemi lahendamiseks paralleelselt kasutada mitut MOSFET-i, näiteks PFC-rakendustes, elektrisõidukite mootorikontrollerites, sidesüsteemides, nagu moodultoiteallika teisese sünkroonse alaldi rakendused. paralleelselt mitme toruga.
Kui mitme toru paralleelühendust ei saa kasutada, saab lisaks parema jõudlusega MOSFET-i valimisele lisaks kasutada suuremat või uut tüüpi paketti, näiteks mõnes AC/DC toiteallikas TO220 muuta paketiks TO247;osades sidesüsteemide toiteallikates kasutatakse uut DFN8*8 paketti.
b.Süsteemi suuruse piirang
Mõned elektroonilised süsteemid on piiratud PCB suuruse ja sisemuse kõrgusega, näiteks sidesüsteemide moodultoiteallikas piirangute kõrguse tõttu kasutatakse tavaliselt DFN5 * 6, DFN3 * 3 paketti;Mõnes ACDC toiteallikas, kasutades üliõhuke disain või piirangute tõttu kest, montaaži TO220 pakett võimsus MOSFET kontaktid otse root, piirangute kõrgus ei saa kasutada TO247 paketti.
Mõned üliõhukesed konstruktsioonid painutavad seadme tihvtid otse tasaseks, see disaini tootmisprotsess muutub keeruliseks.
Suure mahutavusega liitiumaku kaitseplaadi projekteerimisel kasutab enamik praegu ülikarmide suurusepiirangute tõttu kiibi tasemel CSP-paketti, et parandada soojuslikkust nii palju kui võimalik, tagades samal ajal väikseima suuruse.
c.Kulude kontroll
Varakult paljud elektroonikasüsteemid kasutasid pistikprogrammi paketti, nendel aastatel hakkasid paljud ettevõtted tööjõukulude suurenemise tõttu SMD-paketile üle minema, kuigi SMD keevituskulud olid kõrgemad kui pistikprogrammide puhul, kuid SMD-keevituse kõrge automatiseerituse tase, üldkulusid saab siiski mõistlikus vahemikus kontrollida.Mõnes rakenduses, nagu lauaarvuti emaplaadid ja plaadid, mis on äärmiselt kulutundlikud, kasutatakse tavaliselt DPAK-pakettides olevaid toite-MOSFET-e selle paketi madala hinna tõttu.
Seetõttu tuleb MOSFET-paketi võimsuse valikul ühendada oma ettevõtte stiil ja tooteomadused, võttes arvesse ülaltoodud tegureid.
3. Valige sisselülitatud olekutakistus RDSON, märkus: pole voolu
Mitu korda on insenerid mures RDSONi pärast, kuna RDSON ja juhtivuse kadu on otseselt seotud, mida väiksem on RDSON, seda väiksem on võimsuse MOSFET juhtivuse kadu, seda suurem on efektiivsus, seda madalam on temperatuuri tõus.
Samamoodi peavad insenerid võimalikult palju jälgima eelmist projekti või materjalide teegis olemasolevaid komponente, sest reaalse valiku meetodi RDSON-il pole palju kaaluda.Kui valitud võimsuse temperatuuritõus on MOSFET kulude tõttu liiga madal, lülitub MOSFET RDSON suurematele komponentidele;Kui võimsuse MOSFET-i temperatuuritõus on liiga kõrge, on süsteemi efektiivsus madal, lülitub RDSON-i väiksematele komponentidele või välise ajami vooluringi optimeerimisega parandab soojuse hajumise reguleerimise viisi jne.
Kui tegemist on täiesti uue projektiga, pole eelmist projekti, mida järgida, siis kuidas valida MOSFET RDSON võimsust?Siin on teile tutvustamiseks meetod: energiatarbimise jaotusmeetod.
Toitesüsteemi projekteerimisel on teada tingimused: sisendpinge vahemik, väljundpinge / väljundvool, kasutegur, töösagedus, ajami pinge, loomulikult on ka muud tehnilised näitajad ja võimsuse MOSFET-id, mis on seotud peamiselt nende parameetritega.Sammud on järgmised.
a.Vastavalt sisendpinge vahemikule, väljundpingele / väljundvoolule, efektiivsusele arvutage süsteemi maksimaalne kadu.
b.Toiteahela valekaod, toiteahelaga mitteseotud komponentide staatilised kaod, IC staatilised kaod ja ajami kaod, võib ligikaudse hinnangu andmiseks empiiriline väärtus moodustada 10–15% kogukadudest.
Kui toiteahelal on voolu diskreetimistakisti, arvutage voolu diskreetimistakisti energiatarve.Kogukadu miinus need ülaltoodud kaod, ülejäänud osa on toiteseadme, trafo või induktiivpooli võimsuskadu.
Ülejäänud võimsuskadu jaotatakse toiteseadmele ja trafole või induktiivpoolile teatud proportsioonis ning kui te pole kindel, siis keskmine jaotus komponentide arvu järgi, nii et saate iga MOSFET-i võimsuskadu.
c.MOSFET-i võimsuskadu jaotatakse teatud proportsioonis lülituskadudele ja juhtivuskadudele ning kui see pole kindel, jaotatakse lülituskadu ja juhtivuskadu võrdselt.
d.Arvutage MOSFET-i juhtivuse kadu ja voolava RMS-i järgi maksimaalne lubatud juhtivustakistus, see takistus on MOSFET maksimaalsel tööristmiku temperatuuril RDSON.
Andmelehel on võimsus MOSFET RDSON märgistatud kindlaksmääratud katsetingimustega, erinevates määratletud tingimustes on erinevad väärtused, katsetemperatuur: TJ = 25 ℃, RDSON on positiivse temperatuurikoefitsiendiga, nii et vastavalt MOSFETi kõrgeimale tööristmiku temperatuurile ja RDSONi temperatuurikoefitsient, ülaltoodud RDSONi arvutatud väärtusest, et saada vastav RDSON 25 ℃ temperatuuril.
e.RDSON alates 25 ℃, et valida sobiv MOSFET võimsuse tüüp vastavalt MOSFET RDSON tegelikele parameetritele, alla või üles trimmi.
Läbi ülaltoodud sammude esialgne valik võimsuse MOSFET mudeli ja RDSON parameetrid.
See artikkel on võrgust välja võetud. Rikkumise kustutamiseks võtke meiega ühendust, aitäh!
Zhejiang NeoDen Technology Co., Ltd. on alates 2010. aastast tootnud ja eksportinud erinevaid väikeseid korjamis- ja asetamismasinaid. Kasutades ära meie enda rikkalikku uurimis- ja arendustegevuse kogemust ning hästi koolitatud tootmist, võidab NeoDen ülemaailmselt klientidelt suurepärase maine.
Üle 130 riigis üleilmselt esindatud NeoDeni PNP-masinate suurepärane jõudlus, suur täpsus ja töökindlus muudavad need ideaalseks teadus- ja arendustegevuseks, professionaalseks prototüüpimiseks ning väikeste ja keskmiste partiide tootmiseks.Pakume ühe peatuse SMT-seadmete professionaalset lahendust.
Lisa: nr 18, Tianzihu avenüü, Tianzihu linn, Anji maakond, Huzhou linn, Zhejiangi provints, Hiina
Tel: 86-571-26266266
Postitusaeg: 19. aprill 2022